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6英寸SiC导电型衬底晶锭规格书 |
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项目 |
性能 |
参数 |
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晶体参数 |
表面晶向 Surface orientation |
4.0° toward [11-20]± 0.5° |
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4H晶型面积 areas |
100% |
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边缘多晶 Edge polycrystal |
无 |
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机械参数 |
直径(mm) Diameter |
150±0.1 |
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参考面方向 Primary flat orientation |
<11-20>±5.0° |
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参考面长度(mm) Primary flat length |
47.5±1.5 |
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电学参数 |
电阻率 (2 · cm) Resistivity |
0.01-0.03 |
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掺杂剂 Dopant |
N型掺氮 |
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缺陷参数 |
微管密度(个/cm2) Micropipe Density |
≤0.5 |
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基平面位错BPD(个/cm2) |
≤7000 |
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表面质量 |
裂纹 Cracks |
无 |
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