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物理气相传输法（physical vapor transport，PVT）是目前制备SiC单晶衬底的主流技术，但存在晶体缺陷密度较高、成品率低、扩径困难、成本高等局限。以顶部籽晶溶液生长法（TSSG）为主流技术模式的高温溶液法，可以在更低的温度下实现SiC在近热力学平衡状态下生长，具有生长的晶体质量高、成本低、易扩径、易实现稳定的p型掺杂等优势，近年来受到国内外研究团队的高度关注，有望发展成为另一种制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底的有效技术。

《人工晶体学报》发表了来自中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室A02组陈小龙研究员团队的特邀综述“高温溶液法生长SiC单晶的研究进展”（第一作者：王国宾，通信作者：陈小龙），作者总结回顾了TSSG法生长SiC单晶的发展历程，分析了该方法生长SiC单晶的基本原理和生长过程，进而从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法主要的研究进展，归纳了TSSG法生长SiC单晶的优势，并提出了该技术在未来的研究重点和发展方向。